|
|
РУС | ENG
| |
 |
|
|
 | |
ПоискНаноматериалы нужны вездеЗакончился прием заявок для участия в конкурсе международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2017. Спектр представленных решений позволяет однозначно утверждать – нанореволюция уже произошла и нанотехнологии внедрены во все ключевые отрасли промышленности. Закончился прием заявок для участия в конкурсе международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2017. Спектр представленных решений позволяет однозначно утверждать – нанореволюция уже произошла и нанотехно Изменен: 02.09.2017RUSNANOPRIZE , премия , наноматериалы , конкурс , микроэлектроника , биомедицина Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Парад нанотехнологий, часть III. Наноэлектроника и оборудованиеОдно из быстроразвивающихся направлений в полупроводниковой промышленности – это технологии для светодиодного освещения. Коллектив российских ученых предложил решение серьезной проблемы на пути повышения эффективности светодиодов, а именно, проблемы выхода фотонов из активной области светогенерации. Профессор Раскин из Бельгии (Université catholique de Louvain ) представил другое мейнстримное направление в микроэлектронике, а именно, усовершенствование технологии КНИ (Кремний-На-Изоляторе Изменен: 23.09.2013нанотехнологии , оборудование , наноэлектроника , светодиоды , технологии , RUSNANOPRIZE , наноструктуры , микроэлектроника , нанолитография , микроскопия Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Применение методов нанотехнологий в производстве датчиков механических параметровЕ. А. Мокров, А. В. Блинов, А. А. Папко, И. В. Волохов, С. А. Козин, И. Н. Баринов ОАО «НИИ физических измерений», г. Пенза В настоящий момент ОАО «НИИФИ» имеет научно-технический задел в виде разработанных и успешно внедренных следующих конструктивно-технологических решений, использующих методы нанотехнологий: – технология формирования тензо- и термоэлементов на основе наноструктурированного поликристаллического кремния для изготовления полупроводниковых датчиков давления; – технология формиро Изменен: 14.04.2011нанотехнологии , датчики , поликристаллический кремний , нанопленочные , тензорезисторы , микроэлектроника , датчики давления Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека «Русская Ассоциация МЭМС» – шаг вперед на пути развития МЭМС-технологий в РоссииДенис Маратович Урманов, исполнительный директор «Русской Ассоциации МЭМС», кандидат технических наук. Уникальность МЭМС-устройств заключается в том, что они способны не просто улучшать технические характеристики электронных устройств, но и «оживлять» их, делать восприимчивыми к происходящему. Благодаря новейшим разработкам сейчас становится реальными казавшиеся ранее невозможными функции техники. Теперь она «воспринимает» звуковую информацию, «читает» тексты, а встроенные в нее микродатчики Изменен: 28.02.2011МЭМС , микроэлектроника , нанотехнологии , скачать , миниатюрные системы , микроустройства , микроэлектромеханические системы Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Жорес Алфёров о том, как обеспечить спрос на наукуИнтервью вице-президента РАН, почетного члена Нанотехнологического общества России Жореса Алфёрова корреспонденту ER-Portal.ru. Беда российской науки даже не в том, что она получает недостаточное финансирование, беда в том, что на науку у нас нет спроса. Именно поэтому наши результаты уходят за рубеж, их там «спрашивают». В их появлении заинтересована промышленность за рубежом. Наша же промышленность, похоже, мало в чем, заинтересована. "Я считаю, что президент России Дмитрий Медведев Изменен: 02.02.2011наука , НИОКР , финансирование , разработки , нанотехнологии , микроэлектроника , наноэлектроника , Сколково , Алферов , Медведев Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Некоторые альтернативы в наноэлектроникеС. А. Кривелевич 1 , А. С. Рудый 2 , А. Б. Чурилов 1 1 Ярославский филиал Физико-технологического института РАН 2 Ярославский государственный университет им. П.Г.Демидов, Ярославль, Россия Основными элементами современных микропроцессорных устройств и интегральных схем памяти являются кремниевые МОП-транзисторы с латеральными размерами менее 100 нм. Наибольшие успехи в этом направлении, видимо, достигнуты при использовании так называемой «технологии напряжен6ного кремния», которая позволяет Изменен: 11.01.2011наноэлектроника , кремний , микроэлектроника , микромеханика , солнечные элементы , нанотехнологии , полупроводник , альтернативные технологии Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Технологии производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ)А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин В монографии рассматриваются различные технологии и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ). Предложена модифицированная технология получения этих структур с использованием современных методов очистки поверхности и сращивания кремниевых пластин во влажных условиях, а также методов химической сборки поверхности и сращивания с применением пленок диокс Изменен: 05.12.2010кремний , КНИ , исследования , студенты , аспиранты , нано , микроэлектроника , пластины кремния , дефекты Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Сортировать по релевантности | Отсортировано по дате |
   | Все права защищены. При любом использовании материалов портала гиперссылка на ntsr.info обязательна.
© 2009 Нанотехнологическое Общество России |
|