|
|
РУС | ENG
| |
|
|
|
|
| ![]() |
ПоискМикро- и наноструктуры фрактального типа в керамическом пентаоксиде тантала, сформированные под воздействием концентрированного светового потока, и их влияние на механизмы теплового расширенияПалатников М. Н. 1 , Щербина О. Б. 1 , Сидоров Н. В. 1 , Фролов А. А. 2 , Калинников В. Т. 1 1 Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья КНЦ РАН, Мурманская обл., г.Апатиты, Россия. 2 Институт проблем материаловедения им. И. И. Францевича, Украина. В результате проведенных исследований установлено, что образцы пентаоксида тантала, подвергнутые воздействию КСП в оптической печи с последующим быстрым охлаждением «на воздухе» до комнатной температуры, обладают областью отр Изменен: 22.03.2011наноструктуры , тантал , исследования , тепловое расширение , керамические материалы , оксиды Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Неупругие эффекты при квантовом транспорте электронов через спиновые наноструктуры... спинтроники можно отметить возможность управления электрическим током посредством воздействия на спиновые моменты носителей внешними или внутренними полями, например, в ферромагнитных металлах. В. В. Вальков, С. В. Аксенов В работе представлены результаты исследования спин-зависящего транспорт электрона через потенциальный рельеф, возникающий в результате s-d(f)-обменного взаимодействия спина транспортируемого электрона и спиновых моментов структур. Предполагается, что обменное взаимодействие между спиновыми... Изменен: 26.10.2010наноструктуры , спинтроника , электроника , спин , исследования Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Сканирующая туннельная микроскопияНовые микроскопы позволили наблюдать атомно-молекулярную структуру поверхности монокристаллов в нанометровом диапазоне размеров. Наилучшее пространственное разрешение приборов составляет сотую долю нанометра по нормали к поверхности. Действие сканирующего туннельного микроскопа основано на туннелировании электронов через вакуумный барьер. Высокая разрешающая способность обусловлена тем, что туннельный ток изменяется на три порядка при изменении ширины барьера на размеры атома. Значительную ро Изменен: 21.06.2009сканирующий туннельный микроскоп , наномир , исследования , микроскопы , наноструктуры Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Отсортировано по релевантности | Сортировать по дате |