|
|
РУС | ENG
| |
 |
|
|
 | |
ПоискМашинное обучение поможет моделировать квантовые процессы... квантовых систем — от квантовых компьютеров до солнечных батарей. С его помощью удалось смоделировать процессы в полупроводнике MoS₂ и выяснить, что на движение заряженных частиц влияет не только количество дефектов, но и их расположение. Эти дефекты могут замедлять или ускорять перенос заряда, создавая эффекты, которые раньше было сложно учесть при применении стандартных методов. Ученые ВШЭ совместно с коллегами из Университета Южной Калифорнии разработали алгоритм, который быстро и точно... Изменен: 01.03.2025Машинное обучение , моделирование , алгоритм , квантовые системы , электроника , дефекты , электроны , заряды Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Китайские ученые раскрыли загадку дефекта полупроводников из нитрида галлия... эффективных полупроводников GaN — это задача первостепенной важности для КНР. Сегодня в производстве GaN обычно используют подложки из кремния и сапфира, но этот процесс создает отклонения в кристаллических структурах — так называемые дислокационные дефекты — которые ведут к потере производительности устройств на основе нитрида галлия. Группа специалистов из Пекинского университета установила, что проблема коренится в гексагональной атомной структуре GaN, которая отличается от кубической структуры... Изменен: 25.02.2025Полупроводники , нитрид галлия , электроника , дефекты , технология Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Ученые записали терабайты данных на миллиметровый кристаллУченые всегда боролись с проблемой ограниченного пространства для записи данных, которая не позволяла вместить определенное количество информации в объекты маленького размера. Как рассказывают зарубежные СМИ, исследователи из Притцкеровской школы молекулярной инженерии Чикагского университета смогли преодолеть порог вместительности данных, используя кристаллы. Ученые всегда боролись с проблемой ограниченного пространства для записи данных, которая не позволяла вместить определенное количество Изменен: 17.02.2025Запись данных , кристаллы , информация , дефекты Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Обзоры Технологии производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ)А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин В монографии рассматриваются различные технологии и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ). Предложена модифицированная технология получения этих структур с использованием современных методов очистки поверхности и сращивания кремниевых пластин во влажных условиях, а также методов химической сборки поверхности и сращивания с применением пленок диокс Изменен: 05.12.2010кремний , КНИ , исследования , студенты , аспиранты , нано , микроэлектроника , пластины кремния , дефекты Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Размеры вакансий и пор в металлах, сплавах и кремнии по данным метода позитронной аннигиляционной спектроскопииАннотация доклада «Размеры вакансий и пор в металлах, сплавах и кремнии по данным метода позитронной аннигиляционной спектроскопии» на Второй ежегодной научно-технической конференции Нанотехнологического общества России «Перспективы развития в России НБИК-технологий как основного научного направления прорыва к шестому технологическому укладу». В. И. Графутин, И. Н. Мешков, Е. П. Прокопьев, С. П. Тимошенков, Н. О. Хмелевский, Ю. А. Чаплыгин, С. Л. Яковенко Исследование свойств материалов с пом Изменен: 10.11.2010конференция , нанотехнологическое общество , кремний , сплавы , нанокристаллические , дефекты , модель Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Микроструктуры в кремнии с примесью цинка, выявленные с помощью атомно-силовой микроскопии... медицине. О. Н. Макеев, В. В. Привезенцев Ранее в образцах n-Si<Zn>, для которых цинк вводился путем высокотемпературного диффузионного отжига в откаченных ампулах с последующей закалкой, методом наведенного тока в РЭМ были обнаружены протяженные дефекты размером в несколько мкм. Эти дефекты связывались с дислокациями и/или преципитатами цинка, осевшими на них. Позже этот же материал был исследован методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей. Были обнаружены дефекты двух типов: сферические... Изменен: 03.11.2010кремний , нанокластеры , датчики , дефекты , зондовый микроскоп , скачать Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека Отсортировано по релевантности | Сортировать по дате |
   | Все права защищены. При любом использовании материалов портала гиперссылка на ntsr.info обязательна.
© 2009 Нанотехнологическое Общество России |
|