Регистрация | Забыли свой пароль?

Поиск


 



Твердые растворы на основе карбида кремния: технология и свойства

... условия роста. Поэтому при выращивании образцов (SiC) 1-x (AlN) х были проведены исследования влияния различных технологических факторов на свойства растущих материалов. Прежде всего, было изучено влияние газовой атмосферы роста на параметры твердых растворов. Установлено, что наибольшее влияние на состав растущих слоев твердых растворов (SiC) 1-x (AlN) х оказывает соотношение парциальных давлений азота и аргона в рабочей камере. Б. А. Билалов НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» при Дагестанском...

Изменен: 17.03.2011
карбид , кремний , раствор , полупроводниковые материалы , наноэлектроника
Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека

Сортировать по релевантности | Отсортировано по дате