Регистрация | Забыли свой пароль?

Поиск


 



Некоторые альтернативы в наноэлектронике

С. А. Кривелевич 1 , А. С. Рудый 2 , А. Б. Чурилов 1 1 Ярославский филиал Физико-технологического института РАН 2 Ярославский государственный университет им. П.Г.Демидов, Ярославль, Россия Основными элементами современных микропроцессорных устройств и интегральных схем памяти являются кремниевые МОП-транзисторы с латеральными размерами менее 100 нм. Наибольшие успехи в этом направлении, видимо, достигнуты при использовании так называемой «технологии напряжен6ного кремния», которая позволяет

Изменен: 11.01.2011
наноэлектроника , кремний , микроэлектроника , микромеханика , солнечные элементы , нанотехнологии , полупроводник , альтернативные технологии
Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека

Отсортировано по релевантности | Сортировать по дате